NTC熱敏電阻：聯芯制程將推進到28nm 力拼強敵中芯
發布時間：2017/2/24 訪問人數：1527次
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半導體市況好熱鬧，就在臺積電透露5nm將在2019年試產之際，聯電23日也宣布，自主研發的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術，已成功進入客戶芯片量產階段，良率已達先進制程的業界競爭水平，此制程將幫助客戶開拓嶄新的應用于電子產品。
聯電CEO顏博文表示，這次達成14nm量產的里程碑，象征聯電成功攜手客戶，將先進技術導入市場，同時與其他客戶的合作也在順利進行中，將持續優化此制程，充分發揮14納米FinFET在效能、功耗和閘密度所具備的優勢，以驅動次世代硅芯片于網絡、人工智能和各類消費產品等各領域的應用。
聯電14納米 FinFET制程效能競爭力已達業界領先標準，速度較28nm增快55％，閘密度則達兩倍，此外，功耗亦較28nm減少約50％。 此14nm客戶芯片現正于聯華電子臺南的Fab 12A晶圓廠生產中，未來將因應客戶需求，穩步擴充其14nm產能。
聯電宣布自主研發的14nm鰭式場效晶體管（FinFET）制程技術， 也宣告聯電已決定將廈門聯芯的晶圓制程推進到28nm量產，搶食在大陸制造最大一塊的手機和網通芯片代工商機。
顏博文強調，14納米FinFET制程效能競爭力已達業界標準，速度比28 nm增快55%，閘密度達兩倍，而且芯片功耗也較28nm減少約50%。
因聯電28nm制程良率相當穩定，也是目前市場中端手機芯片和高端網絡芯片需求最迫切的制程，預料聯電將會把重心集中沖刺聯芯將制程推升至28nm，挾大陸制造，擠下強敵中芯，在28nm拉升市占，讓聯電搶食大陸快速崛起的芯片大餅，打通任督二脈。
聯電目前與和艦共持有聯芯50%股權，聯芯去年11月開幕，導入聯電的55nm及40nm制程技術生產。
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